ОВЕН ПЛК210-04-CS - программируемый логический контроллер

Параметр

Значение (свойства)

Защита от переполюсовки

Есть

Вычислительные ресурсы

Центральный процессор

RISC-процессор 800 МГц

Объем флеш-памяти (тип памяти)

512 Мбайт (NAND)

Объем оперативной памяти (тип памяти)

256 Мбайт (DDR3)

Объем Retain-памяти (тип памяти)

64 Кбайт (MRAM)

Время выполнения пустого цикла (стабилизированное)

3 мс

Linux

Интерфейсы связи

Ethernet 100 Base-T

Количество портов

4 × Ethernet 10/100 Мбит/c (RJ45)

• Порты 1–3 – коммутатор
• Порт 4 – отдельный сетевой адаптер

Поддерживаемые промышленные протоколы*

• Modbus-TCP (Master / Slave)
• OPC UA (Server)
• MQTT (Client/Broker)
• SNMP (Manager/Agent)

Поддерживаемые прикладные протоколы

• NTP
• FTP, FTPS
• HTTP, HTTPS
• SSH
• SMTP/IMAP/POP3
• OpenVPN, WireGuard

RS-485

Количество портов

2

Поддерживаемые протоколы*

• Modbus RTU (Master / Slave)
• Modbus ASCII (Master / Slave)
• ОВЕН (Master)
• Протоколы тепло- и электросчетчиков

Скорость передачи

1200, 2400, 4800, 9600, 19200, 38400, 57600, 115200 бит/с

Подтягивающие резисторы

Есть

RS-232

Количество портов

1 (сигналы Rx, Tx, GND)

Поддерживаемые протоколы*

• Modbus RTU (Master / Slave)
• Modbus ASCII (Master / Slave)
• ОВЕН (Master)
• Протоколы тепло- и электросчетчиков

Скорость передачи

1200, 2400, 4800, 9600, 19200, 38400, 57600, 115200 бит/с

USB Device

Количество портов

1 × micro USB (RNDIS)

Поддерживаемые протоколы

CODESYS Gateway

FTP

HTTP

HTTPS

SSH

Подключаемые накопители

USB Host

Количество разъёмов

1 × USB type A

Поддерживаемые устройства

MSD / FTDI, USB 2.0 / 1.1

SD card

Количество разъёмов

1

Поддерживаемые устройства

microSD

Максимальная ёмкость

• 4 ГБ (microSD)
• 32 ГБ (microSDHC)
• 512 ГБ (microSDXC)

Часы реального времени

– при температуре +25 °С

3 секунды в сутки

Тип источника питания

Батарея CR2032

Срок работы на одной батарее

5 лет

Общие сведения

Габаритные размеры

(105×124×83) ±1 мм

Масса, не более

1,2 кг

Степень защиты корпуса по ГОСТ 14254–96

IP20

Индикация на передней панели

Светодиодная

Встроенное оборудование

• Источник звукового сигнала
• Двухпозиционный тумблер СТАРТ / СТОП
• Кнопка СБРОС
• Сервисная кнопка

Средняя наработка на отказ**

60 000 ч

Средний срок службы

8 лет

* Поддерживается реализация нестандартных протоколов с помощью системных библиотек.
** Кроме электромеханических переключателей и элемента питания часов реального времени.

Дискретные входы (DI и FDI)

Параметр

Значение (свойства)

Дискретные входы (DI)

Быстрые дискретные входы

(FDI)

Режимы работы

• определение логического уровня

• определение логического уровня
• счётчик высокочастотных импульсов
• измерение частоты
• обработка сигналов энкодера

Тип входов по ГОСТ IEC 61131-2

1

Максимальный ток «логической единицы»

5,5 мА

Максимальный ток «логического нуля»

1,2 мА

Напряжение «логической единицы»

9…30 В

Напряжение «логического нуля»

0…5,5 В

Гистерезис выключения «логической единицы», не менее

0,5 В

Подключаемые входные устройства

контактные датчики,

трехпроводные датчики имеющие на выходе транзистор n-p-n- или p-n-p-типа с открытым

коллектором

контактные датчики,

трехпроводные датчики имеющие на выходе транзистор n-p-n- или p-n-p-типа с открытым коллектором, AB и ABZ энкодеры

Минимальная длительность импульса, воспринимаемая входом

25 мс*

5 мкс

Максимальная частота входного сигнала

20 Гц*

• 95 кГц
• 45 кГц **
• 66 кГц ***

* Определяется длительностью цикла ПЛК.
** При обработке сигналов энкодера.
*** Минимальная длительность импульса в режиме подсчета количества импульсов - 10 мкс.

Аналоговые входы (AI)

Параметр

Значение (свойства)

Подключаемые сигналы

• унифицированные сигналы: 0…5 мА, 0(4)…20 мА, ±50 мВ, ±1 В
• термосопротивления: 50М, Cu50, 50П, Pt50, Ni100, 100М, Cu100, 100П, Pt100, Ni500, 500М, Cu500, 500П, Pt500, Ni1000, 1000М, Cu1000, 1000П, Pt1000, ТСМ гр. 23
• термопары: L, J, N, K, S, R, B, T, A-1, A-2, A-3
• сопротивление: 0…2 кОм, 0…5 кОм

Разрядность АЦП

16 бит

Время опроса одного входа*

унифицированные сигналы

не более 0,6 с

ТС

не более 0,9 с

ТП

не более 0,6 с

сопротивления

не более 0,6 с

Предел основной приведенной погрешности при измерении

унифицированные сигналы

±0,25 %

ТС

±0,25 %

ТП

±0,5 %

сопротивления

±0,25 %

Максимальная дополнительная погрешность, вызванная влиянием электромагнитных помех, не более

±0,3 %

Дополнительная погрешность, вызванная

изменением температуры окружающей

среды, на каждые 10 градусов, не более

0,2 предела допускаемой основной приведенной

погрешности измерения

* Поскольку опрос входов выполняется последовательно, общее время опроса равно сумме времен опроса всех активных входов. Если в параметре «Тип датчика» установлено значение «Датчик отключен», датчик исключается из списка опроса.

Дискретные выходы (DO) типа электромагнитное реле

Параметр

Значение (свойства)

Тип контакта

Нормально-разомкнутый контакт

Режимы работы

• переключение логического состояния
• генерация ШИМ-сигнала

• генерация заданного количества импульсов

Максимальный ток коммутации

• 5 А (при переменном напряжении не более 250 В (СКЗ), 50 Гц, резистивная нагрузка)
• 3 А (при постоянном напряжении не более 30 В, резистивная нагрузка)

Максимальное напряжение на контакты реле

• 264 В (СКЗ) переменного напряжения;
• 30 В постоянного напряжения

Минимальный ток коммутации

10 мА

Категория применения по ГОСТ IEC 60947-5-1:2014

АС-15, С300*

Механический ресурс реле, не менее

5 000 000 переключений

Электрический ресурс реле

• 35 000 переключений при 3 А, 30 В постоянного напряжения
• 50 000 переключений при 5 А, 250 В (СКЗ) переменного напряжения
• 50 000 переключений при категории применения С300*

Время переключения контактов реле из состояния «лог. 0» в «лог. 1» или обратно, не более

10 мс

Параметры ШИМ

Максимальная частота

1 Гц (при коэффициенте заполнения 0,5)

Минимальная длительность импульса ШИМ

50 мс

* Управление электромагнитами переменным напряжением до 300 В (СКЗ) и полной мощностью до 180 ВА

ПЛК210-1х

ПЛК210-0х

Центральный процессор

4х Cortex-А55 1,8 ГГц

ARMCortex A8 800 МГц

Объем флеш-памяти

8 ГБ (eMMC)

512 Мбайт (NAND)

Объем оперативной памяти

2 ГБ (DDR4)

256 Мбайт (DDR3)

Ионистор*

Есть

Нет

Напряжение питания

10…36 В

10…48 В

Рабочая температура

-20…55 °C

-40…55 °C